Бази даних


Наукова періодика України - результати пошуку


Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій



Пошуковий запит: (<.>A=Choudapur V$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1
1.

Choudapur V. H. 
Synthesis and Characterization of Cu Doped ZnS Thin Films Deposited by Spin Coating [Електронний ресурс] / V. H. Choudapur, S. B. Kapatkar, A. B. Raju // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 5. - С. 05017-1-05017-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_5_19
Тонкі плівки чистого ZnS та ZnS, легованого міддю, виготовлено з застосуванням методу центрифугування. Наночастинки синтезовано за гідротермальним методом, використовуючи недорогі вихідні хімікати та демінералізовану воду як розчинник. Результати для сульфіду цинку, легованого Cu, порівняно з результатами нелегованого сульфіду цинку. Одержано однорідні та провідні тонкі плівки з великим значенням ширини забороненої зони. Графіки поглинання в ультрафіолетовому та видимому діапазонах використовувались для оцінки значень ширини забороненої зони. Аналіз рентгенівських досліджень підтверджує успішне додавання атомів Cu в решітку сульфіду цинку до 6 % без зміни позицій піків рентгенівської дифракції матриці. Однак на кристалічність впливає рівень легування Cu в ZnS через деформації решітки. XRD та EDS аналіз плівок підтверджує чистоту зразків. Зразки демонструють великі значення ширини забороненої зони, прозорість та електричний струм у діапазоні від 10<^>-4 до 10<^>-11 А. Додавання атомів Cu до ZnS може змінювати ширину забороненої зони та провідні властивості. Такі плівки підходять для УФ-детекторів та інших оптоелектронних застосувань.
Попередній перегляд:   Завантажити - 635.558 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського